[发明专利]吸收件表面改进有效
申请号: | 201510025695.3 | 申请日: | 2015-01-19 |
公开(公告)号: | CN105870247B | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 陈世伟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了用于在吸收件上沉积碱金属层以在吸收件的表面处生成贫铜区的系统和方法。贫铜区提供了比具有富铜表面的非处理的吸收件的增大的效率。例如,可以通过任何合适的沉积方法来沉积碱金属层,诸如湿沉积法。在沉积碱金属层之后,对吸收件进行退火,使碱金属层与吸收件相互作用以降低位于碱金属层和吸收件之间的界面处的吸收件的铜分布。本发明涉及吸收件表面改进。 | ||
搜索关键词: | 吸收 表面 改进 | ||
【主权项】:
一种用于形成光伏电池的方法,包括以下步骤:在背电极上形成吸收件;在所述吸收件的表面上沉积包括碱金属的材料;以及对所述吸收件进行退火以降低所述吸收件在表面处的铜含量,其中,所述表面的300nm范围内包括至少5%的铜损耗,所述退火包括每分钟温度升高7℃‑20℃的升温速率。
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