[发明专利]一种双层钛铝/铝硅复合材料及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及一种双层钛铝/铝硅复合材料及其制备方法和应用；属于电子封装材料制备技术领域。本发明所述钛铝/铝硅复合材料包括钛铝合金层、铝硅合金层以及位于钛铝合金层与铝硅合金层之间的过渡层。其制备方法为首先在高温高压下由铝粉和钛粉粉末烧结制成钛铝合金基材，然后在较低的温度和较高的压力下，再将预先混合好的铝粉和硅粉，与已烧结成型的钛铝基材放置在模具内进行第二次烧结，得到双层复合结构的钛铝/铝硅电子封装材料坯料。然后经真空扩散退火，得到钛铝/铝硅复合材料。本发明具有工艺流程短、工艺参数容易控制等优势，所制备的钛铝/铝硅复合材料由于各项性能优越，尤其是界面结合性能良好，可以用作电子封装材料。

主权项

一种双层钛铝/铝硅复合材料，其特征在于：包括钛铝合金层、铝硅合金层以及位于钛铝合金层与铝硅合金层之间的过渡层；所述钛铝合金层以质量百分比计包括：Ti 50%~95%；余量为铝；所述铝硅合金层以质量百分比计包括：Si 10%~70%；余量为铝；所述双层钛铝/铝硅复合材料的制备方法包括下述步骤：步骤一按设计的钛铝合金层成分，配取铝粉、钛粉并混合均匀后进行第一次真空热压烧结，得到钛铝合金坯；所述第一次热压烧结的压力为60MPa~100MPa，温度为750℃~950℃；步骤二按设计的铝硅合金层成分，配取铝粉、硅粉后混合均匀，得到铝硅混合粉，然后将所得铝硅混合粉覆盖在步骤一所得钛铝合金坯上，并进行第二次真空热压烧结，得到钛铝/铝硅复合材料预制件；所述第二次热压烧结的压力为100MPa~120MPa，温度为640℃±10℃；步骤三在真空条件下，对步骤二所得钛铝/铝硅复合材料预制件进行真空退火处理，得到钛铝/铝硅复合材料；所述真空退火的温度为300℃~500℃。