[发明专利]自蔓燃引入纳米烧结助剂低温烧结制备0-3磁电复合陶瓷的方法有效
| 申请号： | 201510026834.4 | 申请日： | 2015-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN104609859A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 方必军;刘星;杜庆柏;丁建宁 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/26;C04B35/622;C04B35/63;C04B35/64 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 王美华;任晓岚 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于磁电复合材料领域，提供一种自蔓燃引入纳米烧结助剂低温烧结制备0-3磁电复合陶瓷的方法，通过自蔓燃工艺分别在铁电相、铁磁相颗粒表面包覆纳米WO3、CuO，再将包覆后的铁电相和铁磁相混合均匀经固相烧结，即制得磁电复合陶瓷。本发明的优点：1)由于纳米烧结助剂的引入，能够低温烧结制备高密度的0-3颗粒复合陶瓷；2)有效阻止了铁电体、铁氧体之间的相互扩散，制备的0-3颗粒磁电复合陶瓷呈现较高的磁电耦合效应，具有较大的磁电耦合系数；3)工艺流程简单，成本低廉，适用于其他0-3颗粒磁电复合陶瓷的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 引入 纳米 烧结 助剂 低温 制备 磁电 复合 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
一种自蔓燃引入纳米烧结助剂低温烧结制备0‑3磁电复合陶瓷的方法，其特征在于：通过自蔓燃工艺分别在铁电相、铁磁相颗粒表面包覆纳米WO3、CuO，再将包覆后的铁电相和铁磁相混合均匀经固相烧结，即制得磁电复合陶瓷。
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