[发明专利]一种高品质因数的发射线圈结构及其绕制方法有效
| 申请号： | 201510026889.5 | 申请日： | 2015-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105845404B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 钟霞 | 申请（专利权）人： | 宁波微鹅电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F38/14 | 分类号： | H01F38/14;H01F27/28;H01F27/32;H01F27/36;H01F41/064;H01F41/12;H02J50/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315200 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高品质因数的发射线圈结构及其绕制方法，所述发射线圈包括线圈、贴合于线圈的绝缘层和贴合于绝缘层的屏蔽层，其中线圈由稀疏缠绕的M匝绕线和紧密缠绕的N匝绕线组成，所述M匝绕线匝与匝之间的间距大于所述N匝绕线匝与匝之间的间距，且M＜N。本发明的线圈绕制方式可以减小线圈的临近效应，降低损耗，并且可以减小发射线圈的磁场盲区范围，从而使得发射线圈的品质因数大大提高，并且，在发射线圈的周围可产生均匀的磁场分布，能够更有效地传输能量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 品质因数 发射 线圈 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种高品质因数的发射线圈结构，包括平面线圈、贴合于平面线圈的绝缘层和贴合于绝缘层的屏蔽层，其特征在于，所述平面线圈包括位于内层的M匝绕线和位于M匝绕线外侧的N匝绕线，其中，所述M匝绕线匝与匝之间的间距大于所述N匝绕线匝与匝之间的间距，并且M<N；其中，所述M匝绕线之间的间距设置为1cm至20cm之间的一个值， 所述N匝绕线之间的间距设置为0cm至1cm之间的一个值。
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