[发明专利]通过使用凝聚形成局域化的弛豫衬底的方法

摘要

本发明涉及通过使用凝聚形成局域化的弛豫衬底的方法。描述了用于形成衬底的局域化的应变区域的方法和结构。沟槽可以在衬底的局域化区域的边界处形成。在局域化区域处的侧壁的上部部分可以由覆盖层覆盖，并且在局域化区域处的侧壁的下部部分可以不被覆盖。转变材料可以被形成为与局域化区域的下部部分和加热的衬底接触。加热可以将来自转变材料的化学种类引入到下部部分中，这在局域化区域中产生应力。所述方法可以用于形成应变沟道finFET。

主权项

1.一种用于使FET的沟道区域应变的方法，所述方法包括：从第一半导体材料形成鳍；在所述鳍的第一部分中形成沟道区域；在所述鳍的第二部分的暴露的侧壁上形成转变材料，所述转变材料包括与所述第一半导体材料不同的第二半导体材料；以及通过将所述第二半导体材料的化学种类凝聚到所述鳍的所述第二部分中，使所述沟道区域应变，并且将所述鳍的所述第二部分转换为与所述第一半导体材料的化学成分不同的化学成分。