[发明专利]半导体装置以及电子设备在审
| 申请号： | 201510028725.6 | 申请日： | 2015-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105870204A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 高桥健一郎 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 陶海萍;樊一槿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体装置以及电子设备，所述半导体装置包括：第一N型层，其形成在半导体基板上；第一P型层，其形成在所述第一N型层上；第二N型层，其形成在所述第一P型层上；第二P型层，其形成在所述第一P型层上；第一电极，其与所述第二N型层连接；以及第二电极，其与所述第二P型层连接。通过形成两个范围较广的PN结区域，从而在向半导体装置施加电压时能够形成范围较广的耗尽层区域，能够有效提高半导体装置的耐压性能，并且，不需要增加半导体装置的厚度，从而简化了半导体装置的制造工序并节约制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：第一N型层，所述第一N型层形成在半导体基板上；第一P型层，所述第一P型层形成在所述第一N型层上；第二N型层，所述第二N型层形成在所述第一P型层上；第二P型层，所述第二P型层形成在所述第一P型层上；第一电极，所述第一电极与所述第二N型层连接；以及第二电极，所述第二电极与所述第二P型层连接。
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