[发明专利]一种光电传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510029407.1 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN104617179B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王凯;陈锋 | 申请（专利权）人： | 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 528300 广东省佛山市顺德区大良*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光电传感器及其制备方法，其中的光电传感器包括陶瓷衬底、单晶硅、光电探测器和读出器件，其中陶瓷衬底上开设有若干陶瓷孔，单晶硅镶嵌在陶瓷孔内，光电探测器和读出器件分别设置在单晶硅的上表面、下表面上。本发明提供的光电传感器的光电探测器和读出器件是设置在单晶硅的上表面、下表面上的，因此可以保证传感器的性能；而单晶硅是镶嵌在陶瓷衬底上的，陶瓷衬底具有较强的机械特性，因此可将适量的单晶硅镶嵌在大面积的陶瓷衬底上，实现光电传感器的大面积制备。本发明提供的传感器，克服了现有单晶半导体光电探测器技术的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光电传感器，其特征在于：包括陶瓷衬底、单晶硅、光电探测器和读出器件，其中陶瓷衬底上开设有若干陶瓷孔，单晶硅镶嵌在陶瓷孔内，光电探测器和读出器件分别设置在单晶硅的上表面、下表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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