[发明专利]用于沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中的低米勒电容的较厚的底部氧化物在审
| 申请号： | 201510029536.0 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN104821333A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;王晓彬 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;贾慧琴 |
| 地址： | 美国加利福尼亚940*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中的低米勒电容的较厚的底部氧化物，提出了半导体器件的制备方法和器件。该半导体功率器件形成在半导体衬底上，具有多个沟槽晶体管晶胞，每个晶胞都有一个沟槽栅极。每个沟槽栅极都具有通过多晶硅层上的再氧化工艺形成的较厚的底部氧化物（TBO），沉积在沟槽的底面上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沟槽 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 mosfet 中的 米勒 电容 底部 | ||
【主权项】：
一种形成在半导体衬底中的半导体器件，其特征在于，该半导体器件包括：一个在半导体衬底中打开的沟槽，其具有被第一底部绝缘层和底部多晶硅再氧化层覆盖的沟槽底面；沟槽还具有被第一侧壁绝缘层覆盖的侧壁，以及覆盖第一侧壁绝缘层的第一多晶硅层；以及其中，该沟槽采用第二多晶硅层填充，构成半导体器件的沟槽栅极。
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