[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本发明的各个实施例涉及一种制造半导体器件的方法。提供了一种具有得到改善的可靠性半导体器件。在半导体衬底之上，经由第一绝缘膜形成第一线圈。形成第二绝缘膜，以便用以覆盖第一绝缘膜和第一线圈。在第二绝缘膜之上，形成焊盘。在第二绝缘膜之上，形成具有使部分焊盘暴露出来的开口的多层膜。在多层绝缘膜之上，形成第二线圈。将第二线圈放置在第一线圈之上。第二线圈和第一线圈彼此磁耦合。多层膜包括二氧化硅膜、在二氧化硅膜之上的氮化硅膜、和在氮化硅膜之上的树脂膜。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)在半导体衬底之上形成第一绝缘膜；(b)在所述第一绝缘膜之上形成第一线圈；(c)在所述第一绝缘膜之上形成第二绝缘膜，使得所述第二绝缘膜覆盖所述第一线圈；(d)在所述第二绝缘膜之上并且在平面图中不与所述第一线圈重叠的位置处，形成第一焊盘，同时在划线区域中的所述第二绝缘膜之上形成测试焊盘；(e)在所述第一绝缘膜之上形成多层绝缘膜，所述多层绝缘膜具有使所述第一焊盘暴露出来的第一开口；(f)使用所述测试焊盘执行探针测试；以及(g)在所述步骤(e)之后，在所述多层绝缘膜之上形成第二线圈和第一接线，其中所述第二线圈放置在所述第一线圈之上，其中所述第一线圈和所述第二线圈不经由导体彼此电耦合，其中所述第一接线形成为从所述第一焊盘之上延伸至所述多层绝缘膜之上并且电耦合至所述第一焊盘，其中所述多层绝缘膜包括二氧化硅膜、在所述二氧化硅膜之上的氮化硅膜、和在所述氮化硅膜之上的树脂膜，其中在所述步骤(d)中，在形成所述第一焊盘的布线层中形成密封圈的最上部的金属图案，其中所述步骤(e)包括以下步骤：(e1)在所述第一绝缘膜之上形成所述二氧化硅膜，使得所述二氧化硅膜覆盖所述第一焊盘和所述测试焊盘；(e2)在所述二氧化硅膜之上形成第一抗蚀剂图案；(e3)将所述第一抗蚀剂图案用作蚀刻掩模，对所述二氧化硅膜进行蚀刻，以形成具有使所述第一焊盘暴露出来的第二开口和使所述测试焊盘暴露出来的第三开口的所述二氧化硅膜；(e4)在所述步骤(e3)之后，去除所述第一抗蚀剂图案；(e5)在所述步骤(e4)之后，在所述二氧化硅膜之上形成所述氮化硅膜，使得所述氮化硅膜覆盖所述第一焊盘、所述密封圈的所述最上部的金属图案和所述测试焊盘；(e6)在所述氮化硅膜的至少一部分之上形成第二抗蚀剂图案；(e7)将所述第二抗蚀剂图案用作蚀刻掩模，对所述氮化硅膜进行蚀刻，以形成具有使所述第一焊盘暴露出来的第四开口的氮化硅膜，并且将所述氮化硅膜从所述划线区域去除；(e8)在所述步骤(e7)之后，去除所述第二抗蚀剂图案；(e9)在所述步骤(e8)之后，在所述氮化硅膜之上形成所述树脂膜，使得所述树脂膜覆盖所述第一焊盘、所述密封圈的所述最上部的金属图案和所述测试焊盘；以及(e10)在所述步骤(e9)之后，形成具有使所述第一焊盘暴露出来的第五开口的所述树脂膜，同时将所述树脂膜从所述划线区域并且从形成所述密封圈的所述最上部的金属图案的区域去除，以及其中在步骤(e9)中形成的所述树脂膜由光敏树脂膜制成。