[发明专利]功率器件的制备方法和功率器件在审
| 申请号： | 201510030644.X | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105870184A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种功率器件的制备方法和一种功率器件，其中，功率器件的制备方法，包括：对依次形成有氧化层和多晶硅层的基片上的多晶硅层进行图形化处理，以形成硅栅结构，并暴露出多晶硅层下方的指定区域的氧化层得到硅栅间氧化层、沟道氧化层和非沟道氧化层；在图形化所述多晶硅层的所述基片上形成漏区；在硅栅间氧化层和沟道间氧化层的相应区域形成掩膜层；对形成掩膜层的基片进行离子注入以形成源区；在去除掩膜层的基片上形成隔离层；对隔离层进行图形化处理；在经过图形化处理的基片上形成金属层以完成功率器件的制备方法。通过本发明的技术方案，降低了栅漏电容在充电过程中的电荷消耗，从而降低功率器件的开关损耗，最终在保证功率器件的可靠性的同时提高了功率器件的动态性能。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括：对依次形成有氧化层和多晶硅层的基片上的所述多晶硅层进行图形化处理，以形成硅栅结构，并暴露出所述多晶硅层下方的指定区域的氧化层得到硅栅间氧化层、沟道氧化层和非沟道氧化层；在图形化所述多晶硅层的所述基片上形成漏区；在所述硅栅间氧化层和所述沟道间氧化层的相应区域形成掩膜层；对形成所述掩膜层的所述基片进行离子注入以形成源区；在去除所述掩膜层的所述基片上形成隔离层；对所述隔离层进行图形化处理；在经过图形化处理的所述基片上形成金属层以完成所述功率器件的制备方法。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510030644.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
