[发明专利]功率器件的制备方法和功率器件在审
| 申请号： | 201510031163.0 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105870009A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率器件的制备方法及其功率器件，其中，功率器件的制备方法，包括：在依次形成外延层、氧化层的基片上对所述氧化层进行图形化处理以暴露出所述氧化层的指定区域下方的所述外延层；在经过氧化层的图形化处理的所述基片上形成栅氧层；在形成所述栅氧层的所述基片上形成多个硅栅结构、漏极、源极和介质层，所述多个硅栅结构中的相邻硅栅结构之间的区域为主沟槽；在形成介质层的所述基片上依次对所述介质层和所述栅氧化层进行图形化处理，以暴露出所述主沟槽下方的所述外延层；形成金属连接从而完成所述功率器件的制备。通过本发明的技术方案，有效降低了非沟槽区的氧化层厚度，增大了栅漏电容间距，有效减小了栅漏电容和导通损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括：在依次形成外延层、氧化层的基片上对所述氧化层进行图形化处理以暴露出所述氧化层的指定区域下方的所述外延层；在经过氧化层的图形化处理的所述基片上形成栅氧层；在形成所述栅氧层的所述基片上形成多个硅栅结构、漏极、源极和介质层，所述多个硅栅结构中的相邻硅栅结构之间的区域为主沟槽；在形成介质层的所述基片上依次对所述介质层和所述栅氧化层进行图形化处理，以暴露出所述主沟槽下方的所述外延层；形成金属连接从而完成所述功率器件的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
