[发明专利]PIN台面型InGaAs红外探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种PIN台面型InGaAs红外探测器及其制备方法。该方法包括：I、在N‑InP衬底上生长形成PIN型外延层；II、在步骤I所获器件的表面设置SiO2掩膜层，并采用光刻胶作为掩膜，湿法腐蚀SiO2掩膜层,从而在SiO2掩膜层中形成具有梯形截面的被刻蚀区域；III、利用经步骤II处理后的SiO2掩膜层，干法刻蚀器件而在其中形成具有梯形截面的隔离槽；IV、以(NH4)2S 钝化步骤III所获器件中的刻蚀侧壁之后，在器件表面沉积高k介质膜。进一步的，步骤III系采用包含Cl2、SiH4和钝化气体的刻蚀气体刻蚀所述器件而在其中形成具有梯形截面的隔离槽，并在刻蚀表面形成富硅钝化膜。本发明红外探测器的制备工艺简单，可控性好，易于实施，且所获器件具有良好结构特性以及优良检测性能。

主权项

一种PIN台面型InGaAs红外探测器的制备方法，其特征在于包括：I、采用分子束外延工艺在N‑InP衬底上生长形成PIN型外延层，所述PIN型外延层包括依次生长在N‑InP衬底上的N‑InP缓冲层，N‑InAlAs渐变层，N‑InP层，i‑InGaAs吸收层，P‑InP层，P‑InAlAs势垒层和P‑InP帽层；II、在步骤I所获器件的表面设置SiO2掩膜层，并采用光刻胶作为掩膜，湿法腐蚀SiO2掩膜层，从而在SiO2掩膜层中形成具有梯形截面的被刻蚀区域；III、利用经步骤II处理后的SiO2掩膜层，干法刻蚀所述器件，在所述器件中形成具有梯形截面的隔离槽；IV、以(NH4)2S钝化步骤III所获器件中的刻蚀侧壁之后，在器件表面沉积高k介质膜。