[发明专利]基于Si衬底的InGaAs红外探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于Si衬底的InGaAs红外探测器及其制备方法。该红外探测器包括直接生长在Si衬底的外延结构层以及与所述外延结构层连接的P型、N型电极，所述外延结构层包括在Si衬底上依次生长的过渡层、缓冲层、下掺杂层、吸收层和上掺杂层。该制备方法包括在Si衬底上直接依次生长外延层；以及对所述外延层进行台面刻蚀，并制备N型、P型电极，形成所述红外探测器。藉由本发明的设计，不仅可最大程度的发挥Si衬底热导性好在高功率器件中的优势及充分利用Si衬底易于与硅基电子电路大面积集成和成本低等优点，还可避免复杂键合工艺以及在键合过程中由热应力引起的界面缺陷和界面电阻。

主权项

一种基于Si衬底的InGaAs红外探测器，其特征在于包括直接生长在Si衬底的外延结构层以及与所述外延结构层连接的P型、N型电极，所述外延结构层包括在Si衬底上依次生长的过渡层、缓冲层、下掺杂层、吸收层和上掺杂层；所述过渡层的材质选自Ga1‑xInxP，0.04≤x≤0.96，并且沿逐渐远离Si衬底的方向，x的取值呈线性或台阶式增加。