[发明专利]非挥发性存储器

摘要

本发明公开一种非挥发性存储器，包括基底、堆叠结构、二个通道结构及二层电荷存储层。堆叠结构设置于基底上，且包括多层第一导体层、多层介电层及二层第二导体层。介电层与第一导体层交替地堆叠。第二导体层分离设置于介电层中最上方的一者上。通道结构设置于堆叠结构两侧的基底上。电荷存储层设置于堆叠结构与通道结构之间。

主权项

1.一种非挥发性存储器，包括：基底；堆叠结构，设置于该基底上，且包括：多层第一导体层；多层介电层，其中该些介电层与该些第一导体层交替地堆叠；以及二第二导体层，设置于该些介电层中最上方的一者上；一第一隔离结构，仅设置于该些第二导体层之间，以使该二第二导体层分离设置；二通道结构，设置于该堆叠结构两侧的该基底上；以及二电荷存储层，设置于该堆叠结构与该些通道结构之间。