[发明专利]一种以氨基钛为钛源的Al/Ti薄膜原子层沉积方法

摘要

本发明涉及一种以氨基钛为钛源的Al/Ti薄膜原子层沉积方法，包括以下步骤(1)前处理选择电阻率0.01～0.04Ωcm的衬底，98％H2SO4和30％H2O2混合液清洗，两者体积比为7.02.0～5.0，超纯水漂洗，N2吹干，循环清洗(2)手套箱中称取烷基铝为铝源，氨基钛为钛源，两者摩尔比2.00.5～2.0，氮气吹洗沉积系统1～3h，流量140～150mL/min，驱除尽其中的空气和水分(3)将步骤(2)中的烷基铝和氨基钛以及步骤(1)中清洗好的衬底于氮气保护下放入沉积薄膜系统中，总压力维持1.5～3.2×103Pa，氮气流量100～130mL/min，将烷基铝和氨基钛升温至35～60℃，衬底升温至125～140℃，沉积循环次数180～220次，结束沉积，得到Al/Ti薄膜。该方法以氨基钛为钛源，成膜较为均匀和致密，说明氨基钛是一类用于Al/Ti薄膜原子层沉积较为理想的钛源。

主权项

一种以氨基钛为钛源的Al/Ti薄膜原子层沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将沉积薄膜的衬底晶片进行前处理：采用98％H2SO4和30％H2O2混合液进行清洗，而后用超纯水漂洗，N2吹干，循环清洗次数为3～7次；(2)在手套箱中精确称取烷基铝作为沉积铝源，氨基钛作为沉积钛源，将沉积系统用氮气进行吹洗处理，吹洗时间为1～3h，氮气流量为140～150mL/min，驱除尽体系中的空气和水分；(3)将步骤(2)中称量好的烷基铝和氨基钛以及步骤(1)中清洗后的衬底于氮气保护下放入沉积薄膜系统中，以5℃/min将烷基铝和氨基钛升温，衬底以10℃/min升温，进行循环沉积，结束后将系统降至室温，取出衬底，得到Al/Ti薄膜；所述氨基钛中氨基选自N(CH3)2，N(CH2CH3)2，N[CH(CH3)2]2，N[C(CH3)3]2，N[Si(CH3)3]2，N[SiH(CH3)2]2；所述步骤(2)中，沉积源烷基铝与氨基钛的摩尔比例为2.0:0.5～2.0；所述步骤(3)中，沉积过程总压力维持在1.5～3.2×103Pa，氮气流量为100～130mL/min。