[发明专利]超薄半导体元件封装结构的制造方法

摘要

超薄半导体元件封装结构的制造方法，包括：提供包含多个半导体元件的晶圆，每一半导体元件具有主动面与背面，并且主动面上具有主动区与外部区，主动区设有第一电极及第二电极，且外部区区分为切割部与通道部；形成图案化保护层于主动面上，图案化保护层具多个开口以暴露第一电极、第二电极以及外部区；形成一开槽于所述通道部，其中开槽的深度小于晶圆的厚度；形成一导电结构于开槽内；将晶圆固定于支撑卡具上，并对背面执行薄化制作过程，以暴露开槽内的导电结构；在背面形成背电极层；以及移除支撑卡具并形成多个外部接触垫，再沿切割部执行切割步骤。本发明的制造方法，在移除支撑卡具之后，背电极层对晶圆提供支撑强度，可降低晶圆的破损率。

主权项

1.一种超薄半导体元件封装结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一晶圆，有多个半导体元件，其中所述多个半导体元件中的一第一半导体元件具有一主动面与相对于所述主动面的一背面，且所述主动面具有一主动区与一外部区，所述主动区设有一第一电极及一第二电极，所述外部区区分为一切割部与一通道部；形成一图案化保护层于所述主动面上，所述图案化保护层具有多个开口以暴露所述第一电极、所述第二电极以及所述外部区；形成一开槽于所述通道部，其中所述开槽具有一第一深度，且所述第一深度小于所述晶圆的厚度；形成一导电结构于所述开槽内，包括：形成一金属障壁层顺形地覆盖所述开槽的内侧壁、所述图案化保护层、所述第一电极与所述第二电极；形成一光阻层于所述金属障壁层上，其中所述光阻层具有多个所述开口图案，分别对应定义所述第一电极、所述第二电极以及所述通道部的位置；形成一金属导电第一结构填入所述开槽内，并形成一金属导电层于多个开口图案中；以及去除光阻层及所述光阻层覆盖的金属障壁层，以形成一第一接垫、一第二接垫及该导电结构；其中所述导电结构包括位于所述主动面上的一接触垫；提供一支撑卡具，并固定所述晶圆于所述支撑卡具上，其中所述主动面面向所述支撑卡具设置；执行一薄化制作过程于所述背面，以暴露所述开槽内的所述导电结构；形成一背电极层于所述背面；移除所述支撑卡具；形成多个外部接触垫于所述第一电极、所述第二电极以及所述导电结构上；以及沿所述切割部执行一切割步骤。