[发明专利]硅基薄膜太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201510031893.0 | 申请日: | 2015-01-21 |
公开(公告)号: | CN104538468B | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 李毅 | 申请(专利权)人: | 李毅 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/075;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市毅颖专利商标事务所(普通合伙)44233 | 代理人: | 张艺影 |
地址: | 518029 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种硅基薄膜太阳能电池的制造及工艺,属太阳能电池技术领域。本发明的目的解决现有硅基薄膜电池弱光条件下漏电流大,电池表面麻点,脱模等技术难题。本发明的技术特征包括,前电极图形阵列,还包括防漏电的隔离线或前电极边缘的绝缘线,贯通PIN非晶硅层的各种通孔;所说的PIN非晶硅N层的背电极是复合金属背电极或碳浆电极中的一种;前电极图形阵列、相邻节之间的隔离线宽0.3mm~0.6mm,用P层掺杂比小于1%,漏电流明显著减少。背电极引出铜浆电极附着力达到0.6公斤及以上。实施本发明积极效果是极大地提高升了良品率和外观质量,电压稳定,生产成本降低,良品率极大提高,技术创新更加细化。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种硅基薄膜太阳能电池,包括基片,前电极,PIN光电转化层和背电极,其特征在于所说的前电极是透明导电膜前电极图形阵列,至少包括ITO、ZnO、石墨烯透明导电膜中的一种,所说前电极图形阵列包覆在透明基片上,包括基片的边沿;所说的PIN光电转化层是硅基非晶硅层,前电极图形阵列还包括防漏电的隔离线或前电极边缘的绝缘线,贯通PIN非晶硅层的各种通孔;所说透明导电膜前电极图形阵列,包括PIN非晶硅P层的前电极,单元电池的前电极,其相邻节之间有防漏电的隔离线,其线宽范围为0.5mm~0.6mm;所说的PIN非晶硅N层的背电极是碳浆电极;所说的碳浆电极是有背漆保护层的PIN非晶硅N层背电极,其上引出铜浆电极覆盖在背漆保护层开口处的背漆保护面和碳浆电极面上,且铜浆电极面积为一定值,加大铜浆电极与背漆保护层开口处周边接触面,相对减小铜浆电极与碳浆电极的接触面,使其铜浆电极附着力达到0.6公斤以上,以增强铜浆电极的附着力防止膜层脱落。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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