[发明专利]一种基于三明治结构的柔性硅薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201510031951.X | 申请日： | 2015-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104591074B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张永华;张莉媛;斯蒂芬·A·坎贝尔;熊大元 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙)31215 | 代理人： | 徐筱梅,张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于三明治结构的柔性硅薄膜，其以硅晶圆片为基础，通过背面刻蚀减薄硅片后双面涂覆聚合物膜形成“聚合物膜‑单晶硅膜‑聚合物膜”的柔性三明治结构薄膜，其制备方法包括以下具体步骤：硅晶圆片的准备；硅片正面沉积保护膜；硅片背面沉积保护膜及图形化；硅片背面的碱性溶液湿法刻蚀，期间形成有环状保护外框；硅单晶膜正面和背面分别涂覆聚合物膜及曝光烘胶，切除环状保护外框。本发明的三明治结构薄膜，外层的聚合物膜对中间的硅膜既起保护作用以避免制作到其上的电子器件受到外界环境的腐蚀，又能增加基于三明治结构的硅薄膜的柔性，提高器件性能；工艺过程中形成的环状保护外框增加了工艺操作的可行性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 三明治 结构 柔性 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于三明治结构的柔性硅薄膜，其特征在于该薄膜以单晶硅片为基础，通过背面刻蚀减薄硅片后双面涂覆聚合物膜形成“聚合物膜‑保护膜‑单晶硅膜‑聚合物膜”的柔性结构薄膜，所述单晶硅膜用各种晶向的硅片进行全硅片的背刻蚀得到，保护膜为铬、铜或SiO2/Si3N4复合膜，聚合物膜为SU‑8胶、聚酰亚胺或聚对二甲苯；其中，硅片正面沉积保护膜；硅片背面沉积保护膜及图形化；硅片背面通过碱性溶液湿法刻蚀，期间形成有环状保护外框；单晶硅膜正面和背面分别涂覆聚合物膜，切除环状保护外框。
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