[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法有效
| 申请号： | 201510032635.4 | 申请日： | 2015-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104617192B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 张武斌;韩杰;周飚;胡加辉;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/28;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。所述制造方法包括依次在衬底上生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、有源层、P型电子阻挡层、P型GaN层；其中，非掺杂GaN层和N型GaN层的生长压力为10～200torr。本发明通过将非掺杂GaN层和N型GaN层的生长压力限定为10～200torr，非掺杂GaN层和N型GaN层的生长速率较慢，使得设置在衬底底部的基盘可以将热量及时沿着外延层的生长方向均匀传递，减小了在生长非掺杂GaN层和N型GaN层时，外延片的上下表面之间的温差，缓解了外延片的凹形形变，外延片周边的温度可以达到要求温度，外延片周边的晶体质量提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片的制造方法，适用于4inch、6inch、8inch的大尺寸外延片，其特征在于，所述制造方法包括：依次在衬底上生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、有源层、P型电子阻挡层、P型GaN层；其中，所述非掺杂GaN层和所述N型GaN层的生长压力为10torr，所述非掺杂GaN层的厚度为1.0μm，所述N型GaN层的厚度为1.0μm。
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