[发明专利]一种刻蚀方法在审
| 申请号： | 201510033046.8 | 申请日： | 2015-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN105870018A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王红丽;陈邦明;唐波;闫江;徐烨锋;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;韩晓莉 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种刻蚀方法，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成第一掩膜；覆盖第二掩膜材料，并在其上形成第三掩膜；刻蚀第二掩膜材料，以在第一掩膜的侧壁上形成侧墙掩膜，以及在第三掩膜下形成额外掩膜；去除第三掩膜以及暴露的第一掩膜；以侧墙掩膜和额外掩膜为掩蔽，进行待刻蚀层的刻蚀。本发明实现不同尺寸结构的图案转移。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成第一掩膜；覆盖第二掩膜材料，并在其上形成第三掩膜；刻蚀第二掩膜材料，以在第一掩膜的侧壁上形成侧墙掩膜，以及在第三掩膜下形成额外掩膜；去除第三掩膜以及暴露的第一掩膜；以侧墙掩膜和额外掩膜为掩蔽，进行待刻蚀层的刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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