[发明专利]P沟道快闪存储器的制作方法

摘要

本申请提供了一种P沟道快闪存储器的制作方法。该制作方法包括：步骤S1，在N型半导体衬底上设置相互隔离的存储结构和选择栅结构，存储结构包括依次远离N型半导体衬底叠置的第一介质层、浮栅、第二介质层、控制栅；步骤S2，对N型半导体衬底进行离子注入，形成漏极延伸区，漏极延伸区位于选择栅结构的第一侧的N型半导体衬底中；步骤S3，在存储结构和选择栅结构的侧面形成侧墙；以及步骤S4，对N型半导体衬底进行离子注入，在漏极延伸区形成漏极、在存储结构的第二侧的上述N型半导体衬底中形成源极，在存储结构的第一侧与选择栅结构第二侧之间的N型半导体衬底中形成P区。该方法使得P沟道快闪存储器工作阈值的减小变得缓慢，具有良好的耐久性。

主权项

1.一种P沟道快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，在N型半导体衬底上设置相互隔离的存储结构和选择栅结构，所述存储结构包括依次远离所述N型半导体衬底叠置的第一介质层、浮栅、第二介质层、控制栅；步骤S2，对所述N型半导体衬底进行离子注入，形成漏极延伸区，所述漏极延伸区位于所述选择栅结构的第一侧的所述N型半导体衬底中；步骤S3，在所述存储结构和所述选择栅结构的侧面形成侧墙；以及步骤S4，对所述N型半导体衬底进行离子注入，在所述漏极延伸区形成漏极、在所述存储结构的第二侧的所述N型半导体衬底中形成源极，在所述存储结构的第一侧与所述选择栅结构第二侧之间的所述N型半导体衬底中形成P区，其中，所述步骤S4包括：步骤S41，对所述N型半导体衬底进行离子注入，在所述存储结构的第二侧的所述N型半导体衬底中形成源极延伸区，在在所述存储结构的第一侧与所述选择栅结构第二侧之间的所述N型半导体衬底中形成所述P区；以及步骤S42，对所述N型半导体衬底进行离子注入，在所述漏极延伸区形成所述漏极，在所述源极延伸区形成所述源极。