[发明专利]传感器及其形成方法、检测气体的方法有效
| 申请号： | 201510033122.5 | 申请日： | 2015-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104614403B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 袁彩雷;骆兴芳;易强;俞挺 | 申请（专利权）人： | 江西师范大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;G01N27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 应战,骆苏华 |
| 地址： | 330022 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种基于纳米材料的传感器及其形成方法、传感器检测气体的方法，其中传感器包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体衬底；位于第一表面的第一介质层；位于第二表面的第二介质层；位于第一介质层表面的传输线，且传输线具有间隔；填充所述间隔的MoS2纳米结构；位于第二介质层的接地层，所述接地层内具有互补开口谐振环，互补开口谐振环的位置与传输线的间隔对应。本发明实施例的传感器无需电源驱动和连线传输信号或检测数据，且灵敏度高、检测精度高、兼容性好。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 及其 形成 方法 检测 气体 | ||
【主权项】：
一种基于纳米材料的传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述半导体衬底的第一表面具有第一介质层，第二表面具有第二介质层；在所述第一介质层表面形成若干MoS2纳米结构，若干MoS2纳米结构呈线性排列；在所述第一介质层表面形成若干传输线，所述传输线具有间隔，所述间隔适于容纳所述MoS2纳米结构；在所述半导体衬底的第二介质层表面形成接地层，所述接地层形成有互补开口谐振环，所述互补开口谐振环的位置与所述MoS2纳米结构的位置对应。
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