[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有层间介质层，在层间介质层中形成有金属电极；在层间介质层上形成硬掩膜叠层结构，以覆盖层间介质层和金属电极，所述硬掩膜叠层结构包括自下而上层叠的第一缓冲层、研磨停止层、第二缓冲层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；在所述硬掩膜叠层结构中形成用于填充底部电极材料层的通孔；沉积底部电极材料层，以完全填充所述通孔；执行化学机械研磨，直至露出研磨停止层；实施回蚀刻，去除研磨停止层的同时使形成的底部电极的顶端高于第一缓冲层的顶端。根据本发明，可以避免后续形成的相变材料层与底部电极之间出现接触不良的情况。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有层间介质层，在所述层间介质层中形成有金属电极；在所述层间介质层上形成硬掩膜叠层结构，以覆盖所述层间介质层和所述金属电极，所述硬掩膜叠层结构包括自下而上层叠的第一缓冲层、研磨停止层、第二缓冲层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；在所述硬掩膜叠层结构中形成用于填充底部电极材料层的通孔；沉积所述底部电极材料层，以完全填充所述通孔；执行化学机械研磨，直至露出所述研磨停止层；实施回蚀刻，去除所述研磨停止层的同时使形成的底部电极的顶端高于所述第一缓冲层的顶端。