[发明专利]一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构有效
| 申请号： | 201510034207.5 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104617158B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 朱伟东;赵泊然 | 申请（专利权）人： | 应能微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 刘述生 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其包含一具有第一导电类型的重掺杂硅衬底；在所述重掺杂硅衬底顶面设置一具有第一导电类型的掺杂外延层；在所述掺杂外延层上设置有一系列密排的超深沟槽，且所述超深沟槽的高宽比为10:1到60:1。所述超深沟槽通过掺杂多晶硅的填充，并经过高温推进形成一个立体的具有第二导电类型的扩散掺杂区域，与具有第一导电类型的晶圆掺杂硅衬底形成一个纵向结构的PN结。该纵向结构的PN结的结面积由侧面积和底面积所组成。而纵向结构的PN结的结面积可以通过沟槽刻蚀的深度来增加，因此这种具有纵向PN结的TVS二极管结构可以在更小的芯片尺寸上承受更大的浪涌功率（千瓦级）或浪涌电流。 | ||
| 搜索关键词： | 超深沟槽 第一导电类型 纵向结构 瞬态电压抑制器 掺杂外延层 硅衬底 重掺杂 掺杂多晶硅 导电类型 沟槽刻蚀 扩散掺杂 浪涌电流 纵向PN结 掺杂硅 高宽比 面积和 衬底 顶面 晶圆 浪涌 密排 填充 芯片 | ||
【主权项】：
一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其特征在于，包括：一具有第一导电类型（P 型或N 型）的重掺杂硅衬底；所述重掺杂硅衬底顶面设置一具有第一导电类型（P 型或N 型）的掺杂外延层；所述掺杂外延层上设置有一系列密排的超深沟槽，所述重掺杂硅衬底的掺杂浓度为大于1E18/cm3，所述掺杂外延层的掺杂浓度为1E13/cm3 到1E18/cm3，所述掺杂外延层的厚度为20‑60微米，所述超深沟槽的高宽比为10:1 到60:1。
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