[发明专利]Ni基合金复合基带及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201510034332.6 申请日: 2015-01-23
公开(公告)号: CN104625069A 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 罗穆伟;王振;李邦怿;姚俊涛;丁志春;朱玉斌 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: B22F3/18 分类号: B22F3/18;B21B1/22
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种Ni基合金复合基带,以及低成本、低耗能、过程简便的制备Ni基合金复合基带的方法,属于高温超导金属基带制备技术领域。该方法制备表层W原子百分含量为3-9%、芯层含量为9-15%的NiW合金复合基带。采用Ni粉和W粉混合成NiW粉末,然后直接利用粉轧法压制成型,再将W含量分别为3-9%(A)和9-15%(B)的NiW粉轧坯锭,按照A-B-A顺序置于隧道炉中,高温烧结得到成分均匀的初始复合坯锭;冷轧初始复合坯锭,道次变形量小于10%,总变形量大于95%,得到冷轧基带;冷轧基带在1000-1400℃下退火得到Ni基合金复合基带。该基带整体机械强度高,磁性低并且表面具有强的双轴立方织构,可以很好的用作涂层导体金属基带。
搜索关键词: ni 合金 复合 基带 及其 制备 方法
【主权项】:
一种Ni基合金复合基带,由表层和芯层复合而成,表层W的原子百分含量为3‑9%,芯层W原子百分含量为9‑15%。
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