[发明专利]Ni基合金复合基带及其制备方法无效
申请号: | 201510034332.6 | 申请日: | 2015-01-23 |
公开(公告)号: | CN104625069A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 罗穆伟;王振;李邦怿;姚俊涛;丁志春;朱玉斌 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | B22F3/18 | 分类号: | B22F3/18;B21B1/22 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种Ni基合金复合基带,以及低成本、低耗能、过程简便的制备Ni基合金复合基带的方法,属于高温超导金属基带制备技术领域。该方法制备表层W原子百分含量为3-9%、芯层含量为9-15%的NiW合金复合基带。采用Ni粉和W粉混合成NiW粉末,然后直接利用粉轧法压制成型,再将W含量分别为3-9%(A)和9-15%(B)的NiW粉轧坯锭,按照A-B-A顺序置于隧道炉中,高温烧结得到成分均匀的初始复合坯锭;冷轧初始复合坯锭,道次变形量小于10%,总变形量大于95%,得到冷轧基带;冷轧基带在1000-1400℃下退火得到Ni基合金复合基带。该基带整体机械强度高,磁性低并且表面具有强的双轴立方织构,可以很好的用作涂层导体金属基带。 | ||
搜索关键词: | ni 合金 复合 基带 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种Ni基合金复合基带,由表层和芯层复合而成,表层W的原子百分含量为3‑9%,芯层W原子百分含量为9‑15%。
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