[发明专利]用于改善SiGe厚度的均匀性的方法和系统在审
| 申请号： | 201510035496.0 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN105869991A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李全波;黄君;孟祥国 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于改善SiGe厚度的均匀性的方法和系统。使用一过程以形成保护层来覆盖半导体材料的两个区域之间的小坑。在蚀刻过程中，该保护层保护小坑不被蚀刻掉，并且减少硅(Si)‑浅沟槽隔离(STI)基板的材料损失。提供选择性覆盖以保护Si‑STI基板和Si‑STI交界面的高度。可获得期望的几何形态以用于在小坑附近形成具有均匀厚度的硅锗(SiGe)层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 sige 厚度 均匀 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理半导体基板的方法，所述方法包括：提供包括第一区域和第二区域的半导体基板，所述第一区域包括硅材料，所述第二区域包括二氧化硅材料，所述第一区域和第二区域共有一凹坑区域；形成覆盖所述半导体基板并填充所述凹坑区域的流体保护层；使所述流体保护层硬化；使用第一蚀刻剂部分地移除硬化的保护层而不移除覆盖所述凹坑区域的保护盖；形成覆盖所述半导体基板和所述保护盖的介电层；使用第二蚀刻剂移除所述介电层和所述保护盖的第一部分；以及使用第三蚀刻剂在所述第一区域形成沟槽并移除所述保护盖的第二部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
