[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201510035832.1 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104617151B | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 陆小勇;刘政;李小龙;田慧;孙亮;王祖强 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域。其中，低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法包括：利用低温多晶硅薄膜形成包括源区和漏区的有源层，所述源区用于与薄膜晶体管的源电极相接触，所述漏区用于与薄膜晶体管的漏电极相接触；在所述源区和漏区的低温多晶硅薄膜表面形成非晶硅层；对表面形成有所述非晶硅层的低温多晶硅薄膜进行离子注入。本发明的技术方案能够减少沟道效应、使得离子注入的深度均匀性较佳，薄膜晶体管的阈值电压的均匀性较好，并实现源漏超浅结。 | ||
| 搜索关键词： | 低温多晶硅薄膜晶体管 低温多晶硅薄膜 薄膜晶体管 漏区 源区 表面形成 非晶硅层 显示装置 阵列基板 离子 制作 深度均匀性 沟道效应 阈值电压 超浅结 均匀性 漏电极 源电极 源层 源漏 | ||
【主权项】：
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：利用低温多晶硅薄膜形成包括源区和漏区的有源层，所述源区用于与薄膜晶体管的源电极相接触，所述漏区用于与薄膜晶体管的漏电极相接触；在所述源区和漏区的低温多晶硅薄膜表面形成非晶硅层；以薄膜晶体管的栅电极为掩膜板，对表面形成有所述非晶硅层的低温多晶硅薄膜进行离子注入；所述对表面形成有所述非晶硅层的低温多晶硅薄膜进行离子注入之后还包括：去除所述源区和漏区的非晶硅层。
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