[发明专利]一种N型单晶片的P型掺杂方法

摘要

本申请公开了一种N型单晶片的P型掺杂方法，包括在N型单晶片的表面设置含有P型元素的掺杂浆料；烘干所述掺杂浆料；激光扫描所述掺杂浆料，将所述P型元素掺入所述N型单晶片中。该方法避免了能够降低少数载流子寿命的高温扩散过程，因此能够提高单晶片的少子寿命，从而能够提高太阳能电池的光电转换效率。

主权项

一种N型单晶片的P型掺杂方法，其特征在于，包括：采用丝网印刷的方法在N型单晶片的表面设置含有P型元素的掺杂浆料，形成太阳能电池电极的图案，所述掺杂浆料的厚度为7微米至10微米，包括端点值；烘干所述掺杂浆料，所述烘干的温度为300℃至350℃，包括端点值，所述烘干的时间为6分钟至10分钟，包括端点值；激光扫描所述掺杂浆料，将所述P型元素掺入所述N型单晶片中；所述P型元素为硼，所述N型单晶片的材质为硅。