[发明专利]一种制备失效分析样品的方法有效
| 申请号： | 201510036438.X | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN105865861B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 赵耀斌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/2202 | 分类号： | G01N23/2202 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁文惠;吴贵明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种制备失效分析样品的方法。该方法包括：步骤S1，提供样品，该样品的待测表面分为第一表面区域和第二表面区域；步骤S2，利用油性物质将第一表面区域覆盖；步骤S3，在第二表面区域设置多个通孔，通孔延伸至样品的基底表面；步骤S4，在待测表面和通孔中设置金属；以及步骤S5，去除油性物质。本申请提供的方法通过在去除覆盖在第一表面区域的油性物质时同时去除附着在其上的金属，从而使第一表面区域的样品表面裸露；而第一表面区域在受到轰击时产生二次电子，与二次电子对应的正电荷被位于其周围的金属导出，由此产生的二次电子成像能够反映该处的原始表面形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 失效 分析 样品 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备失效分析样品的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1，提供样品，所述样品的待测表面分为第一表面区域和第二表面区域；步骤S2，利用油性物质将所述第一表面区域覆盖；步骤S3，在所述第二表面区域设置多个通孔，所述通孔延伸至所述样品的基底表面；步骤S4，在所述待测表面和所述通孔中设置金属；以及步骤S5，去除所述油性物质。
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