[发明专利]非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法

摘要

本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法。该铁电存储器包括铁电薄膜层和设置在铁电薄膜层上的读写电极层，读写电极层中设置有将其分为至少两个部分的间隙，铁电薄膜层的电畴的极化方向基本不平行所述读写电极层的法线方向；其中，读操作和写操作都可以通过读写电极层完成。本发明的铁电存储器结构简单、制备简单、成本低，可以实现电流方式的非破坏性读出，适合于高密度应用。

主权项

一种非破坏性读出铁电存储器，包括铁电薄膜层（305），其特征在于，还包括设置在所述铁电薄膜层（305）上的读写电极层（307），所述读写电极层（307）中设置有将其分为至少两个部分的间隙（309），所述铁电薄膜层（305）的电畴（3051或3053）的极化方向不平行于所述读写电极层（307）的法线方向；其中，在所述读写电极层（307）中的邻接所述间隙（309）的两个部分之间偏置第一方向的写信号时，对应所述间隙（309）的部分所述铁电薄膜层（305）的电畴以纵向地贯穿所述铁电薄膜层（305）的方式被反转；其中，在所述读写电极层（307）中的邻接所述间隙（309）的两个部分之间偏置第一方向的读信号时，对应所述间隙（309）的部分所述铁电薄膜层（305）的电畴局部被反转而建立畴壁导电通道（3058）。