[发明专利]半导体晶片、半导体芯片以及半导体装置及其制造方法在审
申请号: | 201510036999.X | 申请日: | 2015-01-26 |
公开(公告)号: | CN105895601A | 公开(公告)日: | 2016-08-24 |
发明(设计)人: | 吉田宗博 | 申请(专利权)人: | 力晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/544;H01L27/115;H01L21/8247;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种半导体晶片、半导体芯片以及半导体装置及其制造方法。为了解决在切割道切割半导体晶片时探针测试垫残留垫金属造成的半导体芯片可靠度恶化的问题,在具有多个半导体芯片的半导体晶片,具有形成于半导体晶片的切割区的多个探针测试垫、形成于半导体芯片上的多个直通硅晶穿孔、与将各探针测试垫连接于各直通硅晶穿孔的线路层,而被构成为:在晶片测试后,通过蚀刻移除多个探针测试垫及线路层的一部分的至少其中之一。另外,半导体晶片还具有以覆盖移除线路层的一部分时残留的线路层的曝露面的形式形成的保护膜。 | ||
搜索关键词: | 半导体 晶片 芯片 以及 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体晶片,其特征在于,包含:多个半导体芯片;多个探针测试垫,形成于上述半导体晶片的切割区;多个直通硅晶穿孔,形成于上述半导体芯片上;以及线路层,将上述各探针测试垫分别连接于上述各直通硅晶穿孔;其中该半导体晶片被构成为:在晶片测试后,通过蚀刻移除上述多个探针测试垫或上述线路层的一部分、或是上述多个探针测试垫及上述线路层的一部分均通过蚀刻移除。
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