[发明专利]一种光强化半导体矿物生物浸出的方法有效
| 申请号： | 201510037082.1 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104561544B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 朱建裕;周双;甘敏;杨宝军;覃文庆;刘学端;邱冠周 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C22B3/18 | 分类号： | C22B3/18;C22B15/00 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所43114 | 代理人： | 袁靖 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光强化半导体矿物生物浸出的方法。以嗜酸氧化亚铁硫杆菌分别在光照和黑暗的条件下，进行摇瓶、曝气、筑堆、做柱浸出黄铜矿。发现在光照条件下，这些方式的黄铜矿浸出效率高于黑暗条件下的浸出率，尤其光照条件下摇瓶培养效果更突出。该方法对于提高具有半导体性质的矿物(黄铜矿)的综合利用水平以及实现半导体矿物作为光催化剂在浸矿工业上的运用有重大的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 强化 半导体 矿物 生物 浸出 方法 | ||
【主权项】：
一种光强化半导体矿物生物浸出的方法，其特征在于，将驯化好的嗜酸氧化亚铁硫杆菌作为种子，接种于含有黄铜矿的培养基中，在光照条件下进行摇瓶浸出；每100ml装有2g黄铜矿的9K培养基中接种2×107个嗜酸氧化亚铁硫杆菌；光照强度为8500lux；转速为90‑100r/min，浸出温度28‑35℃。
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