[发明专利]阶梯栅极射频离子推进装置有效
| 申请号： | 201510037134.5 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104595140B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 夏广庆;郝剑昆;王鹏;邹存祚;徐宗琦 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | F03H1/00 | 分类号： | F03H1/00 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司21212 | 代理人： | 涂文诗,李洪福 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种阶梯栅极射频离子推进装置。本发明装置，包括射频天线、电离室、屏栅、加速栅、中和器；所述射频天线环绕在电离室外部，用于激发等离子体，所述电离室提供所述等离子体发生区域，并限制所述等离子体在所述区域内，所述电离室的一端用于输入工质气体，所述屏栅、所述加速栅和所述中和器位于所述电离室的另一端，所述屏栅用于引出正离子，所述加速栅用于加速所述正离子，并且所述加速栅截面为阶梯型结构，所述中和器用于发射中和所述正离子的电子。本发明实施例提供了一种阶梯型加速栅极结构，阶梯型加速栅极可以降低离子撞击栅极的机率，减少栅极腐蚀，进而大大延长推进器的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯 栅极 射频 离子 推进 装置 | ||
【主权项】：
一种阶梯栅极射频离子推进装置，其特征在于，包括：射频天线、电离室、屏栅、加速栅、中和器；所述射频天线环绕在电离室外部，用于激发等离子体，所述电离室提供所述等离子体发生区域，并限制所述等离子体在所述区域内，所述电离室的一端用于输入工质气体，所述屏栅、所述加速栅和所述中和器位于所述电离室的另一端，所述屏栅用于引出正离子，所述加速栅用于加速所述正离子，并且所述加速栅截面为阶梯型结构，所述中和器用于发射中和所述正离子的电子。
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