[发明专利]一种应力记忆高分子材料及智能压力装置

摘要

本发明公开了一种应力记忆高分子材料，具有不同的相筹及两个以上转变温度，其制备过程包括预处理（移除塑性应变）和应力记忆编程，所述应力记忆编程包括以下步骤：i.加热所述应力记忆高分子材料至T₁；ii.拉伸所述应力记忆高分子材料至ε_I.S；iii．在ε_I.S应变下保持一段时间；iv．在ε_I.S应变下冷却至T₂。本发明还公开了一种使用该应力记忆高分子材料的智能压力装置。与现有技术相比较，由于本发明提供的应力记忆高分子材料在ε_high的应变下进行了去除塑性应变的预处理及在小于ε_high的ε_I.S应变下进行了应力记忆编程，在ε<ε_I.S的应变条件下，应力记忆高分子材料比其他用于压力致动器的形状记忆高分子材料将有更长的使用寿命。

主权项

1.一种应力记忆高分子材料，具有不同的相筹及两个以上转变温度，其特征在于制备过程包括预处理，即进行移除塑性应变处理，和预处理后的应力记忆编程，所述应力记忆编程包括以下步骤：i. 加热所述应力记忆高分子材料至T₁；ii. 拉伸所述应力记忆高分子材料至ε_I.S；iii．在ε_I.S应变下保持一段时间；iv．在ε_I.S应变下冷却至T₂;所述应力记忆高分子材料为聚氨酯材料，制备聚氨酯时，所使用的多元醇包括聚四甲基醚二醇（PTMEG）、聚丙二醇（PPG）、聚己内酯二醇（PCL）、聚丁烯己二酸二醇（PBA）或环己烷己二酸二醇（PHA）；使用的扩链剂为1，4 ‑丁二醇（BDO）、乙二醇（EG）或乙二胺（EDA）；使用的二异氰酸酯为亚甲基二苯基二异氰酸酯（MDI）、1，6 ‑己二异氰酸酯（HDI）、2，4‑甲苯二异氰酸酯（TDI）、1，4‑丁烷二异氰酸盐（BDI）或异佛尔酮二异氰酸酯（IPDI）；多元醇链的相对分子质量为250‑6000，二异氰酸酯的相对分子质量为150‑250;其中T₁>T_high，ε_I.S<ε_high，T₂<T_high，T_high是高于转变温度的温度，ε_high=100%。