[发明专利]二氧化钛薄膜氢气传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510037452.1 | 申请日： | 2015-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN104569077B | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 高云;吴文希;夏晓红 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 武汉河山金堂专利事务所(普通合伙)42212 | 代理人： | 丁齐旭 |
| 地址： | 430000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二氧化钛薄膜氢气传感器及其制备方法，通过预沉积的TiO2籽晶层，一方面可隔绝FTO导电层与水热生长TiO2层，降低通过FTO导电玻璃层的漏电流，提高二氧化钛薄膜氢气传感器检测灵敏度；第二方面，作为缓冲层和籽晶层，为下一步水热合成TiO2纳米阵列薄膜层提供了更高密度的籽晶层，有效增加了薄膜TiO2纳米棒阵列的密度；第三方面，将磁控溅射、水热合成两种制备方法相结合，可提高TiO2纳米阵列薄膜层的晶粒取向性，最终制备出的二氧化钛薄膜氢气传感器不但拥有优良的检测灵敏度和稳定性，更重要的是能满足25±5℃下检测氢气的要求，无需额外加热系统，成本相对其他方法更低。在25±5℃下探测极限可以达到1ppm，采用1V的电压源做驱动，其电阻变化高达4%。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 薄膜 氢气 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化钛薄膜氢气传感器，其特征在于包括：依次表面附着的FTO导电玻璃层、[002]取向TiO2籽晶层、[002]取向TiO2纳米阵列薄膜层和叉指电极，它是一种具有在25±5℃条件下对氢气的检测浓度探测极限可达到1ppm，电阻变化率≧4％性能的二氧化钛薄膜氢气传感器。
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