[发明专利]MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结及其制备方法有效
| 申请号： | 201510037533.1 | 申请日： | 2015-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN104576914B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张焱;胡慧;王越;冯庆荣 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L39/22 | 分类号： | H01L39/22;H01L39/24 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结及其制备方法。通过机械手助混合物理化学气相沉积法，无需高真空条件，在2～7Pa真空条件下即可一次性在衬底上原位制得MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结。本发明方法可以连续生长所需的两层MgB2膜和BN势垒层，避免了生长过程中的杂质污染；利用CVD法生长的BN层性能优良，导热性好，适合作为势垒层，提高了势垒层的致密性，增强了约瑟夫森结工作时热量散发的几率和与MgB2的匹配度。 | ||
| 搜索关键词： | mgb2 bn 约瑟夫 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结的方法，包括如下步骤：1)通过混合物理化学气相沉积法在衬底上生长底层MgB2；2)通过化学气相沉积法在底层MgB2上生长势垒层BN；3)通过混合物理化学气相沉积法在势垒层BN上生长上层MgB2；4)利用光刻和离子刻蚀对步骤1)至3)制备的MgB2/BN/MgB2三明治式样品进行成型处理，得到MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结；其中，步骤1)至3)在混合物理化学气相沉积设备的反应舱中一次性原位生长底层MgB2、势垒层BN和上层MgB2。
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