[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制备方法

摘要

一种隧穿场效应晶体管，源区、两个漏区及两个栅区；两个漏区沿第一方向分别设置于源区相对的两侧处，两个栅区沿第二方向分别设置于源区相对的两侧处，源区与两栅区之间均设有第一外延层及栅介质层；第一外延层设置在源区与栅介质层之间，第一外延层与源区形成p‑n隧穿结；两漏区及两栅区包围在源区周围，可使得源区完全处于两栅区的控制下，源区与栅区有重叠的区域内的载流电子都会受到栅区电场的作用而发生隧穿；第一外延层设置在源区与栅介质层之间，其隧穿类型为线性隧穿，隧穿面积大，栅区电场方向和源区的电子隧穿方向处于一条线上，隧穿几率大，从而有效提高隧穿电流。另，本发明还提供了上述隧穿场效应晶体管的制备方法。

主权项

一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管包括源区、两个漏区及两个栅区；两个所述漏区沿第一方向分别设置于所述源区相对的两侧处，所述源区与两所述漏区之间均设有沟道层，所述沟道层形成所述源区与所述漏区之间的沟道；两个所述栅区沿第二方向分别设置于所述源区相对的两侧处，所述第二方向垂直所述第一方向；所述源区与两所述栅区之间均设有第一外延层及栅介质层；所述第一外延层设置在所述源区与所述栅介质层之间，所述第一外延层与所述源区形成p‑n隧穿结；所述栅介质层上远离所述第一外延层的一面与所述栅区连接，所述栅介质层用于将所述第一外延层与所述栅区隔离。