[发明专利]CMOS器件及其制作方法

摘要

本申请公开了一种CMOS器件及其制作方法。该制作方法包括：提供形成有栅极结构的衬底，在衬底上形成钨插塞，得到预备衬底；在预备衬底上形成金属互连层，进而形成CMOS器件；其中，在预备衬底上形成金属互连层的步骤之前，对预备衬底进行UV照射，和/或在预备衬底上形成金属互连层的步骤之后，对形成有金属互连层的预备衬底进行UV照射。该方法中，在形成有栅极结构的衬底上先形成钨插塞，再在得到的预备衬底上形成金属互连层。在形成金属互连层的步骤之前和/或之后，对基体进行UV照射，能够起到钝化栅极介质层中硅悬挂键的作用，从而能够减轻栅极介质层因硅悬挂键导致的漏电流、磁滞效应等问题。

主权项

一种CMOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供形成有栅极结构的衬底，在所述衬底上形成钨插塞，得到预备衬底；在所述预备衬底上形成金属互连层，进而形成所述CMOS器件；其中，在所述预备衬底上形成金属互连层的步骤之前，对所述预备衬底进行UV照射；和/或在所述预备衬底上形成金属互连层的步骤之后，对形成有所述金属互连层的所述预备衬底进行所述UV照射。