[发明专利]一种基于时域参数的局部放电特高频传感器性能评价方法

摘要

本发明公开一种基于时域参数的局部放电特高频传感器性能评价方法，通过时域参数表征特高频传感器的性能，在GTEM小室脉冲测量系统测量数据的基础上，经由Hilbert变换获取时域解析脉冲响应函数，并提取出包络峰值、包络宽度和振荡时间三种时域参数。利用Guillaume‑Nahman技术克服频域反卷积求取时域参数过程中的病态问题，避免系统脉冲响应淹没于高频毛刺之中。与现有评价体系相比本发明能够更准确地描述UHF传感器在接收脉冲信号时的行为特征，为局部放电UHF检测信号时域波形的有效对比和分析提供了技术支撑。

主权项

一种基于时域参数的局部放电特高频传感器性能评价方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤1、利用GTEM小室脉冲测量系统作为电磁测量环境，测量出脉冲源发出的场强输入信号x(k)和被测特高频传感器的电压输出采样信号y(k)，k＝1,2...,N,N为采样点数；步骤2、对场强输入信号x(k)和电压输出采样信号y(k)进行快速傅利叶变换得到输入信号频谱X(n)和输出信号频谱Y(n),n＝1,2...,N；步骤3、计算估计系统传递函数，公式如下：D(n)＝H(n)·R(n)式中，H(n)为实测系统传递函数，H(n)＝Y(n)/X(n)，R(n)为Guillaume‑Nahman滤波器；步骤4、构造脉冲响应函数频谱H+(n)，公式如下：H+(n)2D(n),n≤[N/2+1]0,n>[N/2+1]]]>式中：N为采样点数，[N]代表不大于N的最大整数；步骤5、对响应函数频谱H+(n)进行快速傅利叶反变换，得到估计脉冲响应h+(k)；步骤6、根据估计脉冲响应h+(k)提取与被测特高频传感器性能相关的时域参数，包括包络峰值、包络宽度和振荡时间。