[发明专利]一种TSV孔制造工艺在审
| 申请号： | 201510040335.0 | 申请日： | 2015-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN104576521A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 靖向萌 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种TSV孔制造工艺，其工艺步骤简单，工艺要求低，减少了CMP工艺和RDL制造工艺，较好地降低了工艺成本，其包括以下步骤：（1）、在晶圆硅衬底上制作TSV孔；（2）、在TSV孔开口侧全部制作绝缘层；（3）、在TSV孔上涂覆可以图形化的牺牲层材料，并经过图形化形成孔和再布线（RDL）层图形；（4）、在TSV孔开口侧的绝缘层和牺牲层材料上全部成型种子层；（5）、在种子层上进行电镀填充，成型电镀金属层；（6）、去除晶圆硅衬底上的光刻胶及其光刻胶对应的种子层和电镀金属层，成型RDL层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tsv 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种TSV孔制造工艺，其特征在于：其包括以下步骤：（1）、在晶圆硅衬底上制作TSV孔；（2）、在TSV孔开口侧全部制作绝缘层；（3）、 在TSV孔上涂覆可以图形化的牺牲层材料，并经过图形化形成孔和再布线（RDL）层图形；（4）、在TSV孔开口侧的绝缘层和光刻胶上全部成型种子层； （5）、在种子层上进行电镀填充，成型电镀金属层；（6）、去除晶圆硅衬底上的光刻胶及其光刻胶对应的种子层和电镀金属层，成型RDL层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;，未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510040335.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
