[发明专利]哈密瓜二次座果栽培方法

摘要

本发明涉及栽培方法技术领域，是一种哈密瓜二次座果栽培方法；按下述方法进行：第一步，选择瓜地；第二步，开沟施肥；第三步，开瓜沟；第四步，浇水并铺地膜；第五步，播种；第六步，扣棚；第七步，间、定苗；第八步，水肥管理。本发明哈密瓜二次座果栽培方法得到的哈密瓜较现有方法得到的哈密瓜每亩增收500公斤至600公斤，且本发明哈密瓜二次座果栽培方法得到的哈密瓜的采收期较现有哈密瓜的采收期长，同时，本发明哈密瓜二次座果栽培方法得到的哈密瓜较现有技术露地直播得到的哈密瓜早成熟，较现有技术双膜育苗栽培得到的哈密瓜晚成熟，弥补了露地直播和双膜育苗栽培采收期空档，增加了哈密瓜的产量，大大提高了瓜农的收入。

主权项

一种哈密瓜二次座果栽培方法，其特征在于按下述方法进行：第一步，选择瓜地，选择土壤有机质质量百分含量为1.5%至2%、总盐质量百分含量小于0.5%和PH值为7至8的地块作为瓜地；第二步，开沟施肥，沿瓜地等高线划开沟线，距开沟线两侧40cm至45cm处开施肥沟，施肥沟沟深25cm至30cm，每亩按优质腐熟有机肥2m³至2.5m³或者油渣200kg至250kg、氮磷钾复合肥30kg至40kg和磷酸二铵25kg至30kg进行施肥，将优质腐熟有机肥或者油渣、氮磷钾复合肥和磷酸二铵施入施肥沟内覆土回填；第三步，开瓜沟，沿开沟线开瓜沟，相邻两瓜沟之间的距离为3.5m至4m，瓜沟沟深0.5m至0.6m、瓜沟上口宽0.9m至1m；第四步，浇水并铺地膜，播种前5天至7天在瓜地的各瓜沟内灌满水，5天至7天后进行播种，瓜沟两侧畦面10cm至15cm处为播种带，将播种带刮平，在播种带和相邻播种带瓜沟一侧铺地膜，铺好地膜后压平、压紧、压实；第五步，播种，3月20日至4月5日期间进行播种，且瓜地5cm深处地温连续3天稳定在12℃至13℃，在播种带上采用穴播进行播种，株距35cm至40cm，播种深度2cm至3cm，每穴播2粒至3粒哈密瓜种子；第六步，扣棚，在相邻两播种带之间扣棚，在扣棚上覆盖棚膜；第七步，间、定苗，1片至2片真叶时间苗，3片至4片真叶时定苗，每穴留苗1株，亩保苗为800株至850株，播种后7天至10天不通风，出苗以后开始逐步通风，直至4月中下旬揭棚；第八步，水肥管理，伸蔓期至开花座果期10天至12天在瓜沟内灌水1次，果实膨大期8天至10天在瓜沟内灌水1次，每次灌水量为瓜沟沟深的2/3至3/4，头茬果开始上网纹时，及时结合灌水每亩补施氮磷钾复合肥8公斤至10公斤，采收前5天至7天停止灌水；第九步，倒蔓、压蔓，瓜苗4片至5片真叶及时倒蔓，在根茎部靠畦内开3cm至5cm深的小沟，将瓜蔓倒向沟内，用土块压蔓，每隔4节至5节压一次，用土块直接压到蔓上，不压叶片和坐瓜节位，全生育期共压蔓3次至4次，直至封垄；第十步，整枝、打杈、留瓜、疏果，采用单蔓整枝，主蔓不摘心，摘除第1节至11节叶腋内发出的子蔓，选留座瓜节位在12节至14节，待幼瓜鸡蛋大时选留1个果型较好的瓜，留瓜侧蔓瓜前留1叶至2叶摘心，其它2个幼果全部摘除，幼瓜座稳后及时摘除15节至16节叶腋发出的子蔓，选留17节至18节坐二次果，幼果坐稳后停止打杈，任其自然生长，瓜田按一株留2个果的原则，选留2个节位合适、外形标准的果实，摘除过低、过高节位的果实和畸形果及有外伤的果实，这项工作在座果期经常进行；第十一步，垫瓜、翻瓜、盖瓜，果实进入膨大期后，进行垫瓜、翻瓜和盖瓜；第十二步，病虫害防治；第十三步，采收，果实成熟度糖度达到14％至15％进行采收。