[发明专利]一种氮化物LED垂直芯片结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201510041265.0 | 申请日： | 2015-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN104637794A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 马亮;胡兵;李金权;裴晓将;刘素娟 | 申请（专利权）人： | 北京中科天顺信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/205;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 100085 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化物LED垂直芯片结构及其制备方法，包括n型电极、氮化物LED外延片结构及p型电极；所述n型电极位于所述氮化物LED外延片结构的下方，且附着在所述氮化物LED外延片结构上，所述p型电极位于所述氮化物LED外延片结构的上方，且附着在所述氮化物LED外延片结构上。在复合衬底上制作完二维衍生膜与氮化物外延层后，首先在复合衬底背面制作n型电极；然后，在氮化物外延层表面制作p型电极；最后，对LED器件晶圆进行切割得到分离器件。使用本发明制备的氮化物LED垂直芯片具有适合大电流密度(≥100A/cm2)驱动、高光功率密度输出等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 led 垂直 芯片 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物LED垂直芯片结构，其特征在于，包括n型电极、氮化物LED外延片结构及p型电极；所述n型电极位于所述氮化物LED外延片结构的下方，且附着在所述氮化物LED外延片结构上，所述p型电极位于所述氮化物LED外延片结构的上方，且附着在所述氮化物LED外延片结构上；其中，所述氮化物LED外延片结构包括复合衬底、一层以上的二维衍生膜及氮化物外延层，所述二维衍生膜位于所述复合衬底及所述氮化物外延层之间，且所述二维衍生膜附着在所述复合衬底的上表面上，所述氮化物外延层附着在所述二维衍生膜上；所述n型电极附着在所述复合衬底的下表面上，所述p型电极附着在所述氮化物外延层上；所述二维衍生膜由一层或两层以上的二维纳米片材料构成，所述二维纳米片材料包括石墨烯、硅烯中的任意一种或两种的组合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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