[发明专利]一种采用原子层沉积原位制备超顺磁Fe3O4纳米管阵列的方法

摘要

本发明公开了一种采用原子层沉积原位制备超顺磁Fe3O4纳米管阵列的方法，属于纳米管阵列制备技术领域。包括以下步骤1)将洁净的AAO基片送入原子层沉积设备中，备用；2)将二茂铁蒸汽和氧气通入原子层沉积设备的载气系统，然后由载气系统送入真空反应腔体中，在氮气氛围中，开启原子层沉积循环，重复该循环数次，直至在AAO基片的表面和孔洞中生成均匀的Fe3O4薄膜；3)抛光去除AAO基片表面的Fe3O4薄膜；4)用碱溶液将AAO基片溶解后去除，得到排列整齐的Fe3O4纳米管阵列。本发明方法操作简单，原料来源广，易实现，可以原位生长获得纵横比很大的，排列整齐，形貌和大小都非常均匀的超顺磁Fe3O4纳米管阵列。

主权项

一种采用原子层沉积原位制备超顺磁Fe3O4纳米管阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将洁净的AAO基片送入原子层沉积设备中，备用；2)以二茂铁为铁源，以氧气作为氧源；将二茂铁蒸汽和氧气交替通入原子层沉积设备的载气系统，然后由载气系统送入真空反应腔体中，在氮气氛围中，开启原子层沉积循环，重复该循环数次，直至在AAO基片的表面和孔洞中均匀沉积上所需厚度的Fe3O4薄膜；所述的每个原子层沉积循环为：先进行0.4s的二茂铁源脉冲，再用氮气清洗16s，然后进行1s的氧气脉冲，最后用氮气清洗3s；3)抛光去除AAO基片表面的Fe3O4薄膜；4)用碱溶液将AAO基片溶解后去除，得到排列整齐的Fe3O4纳米管阵列。