[发明专利]石墨烯-金属接合结构、其制造方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201510042066.1 | 申请日： | 2015-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105280594B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李载昊;申铉振;李珉贤;李昌锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯‑金属接合结构、制造石墨烯‑金属接合结构的方法和包括该石墨烯‑金属接合结构的半导体器件。根据示例实施方式，一种石墨烯‑金属接合结构包括：石墨烯层；在石墨烯层上的金属层；以及在石墨烯层和金属层之间的中间材料层。中间材料层从中间材料层中包含的材料的接触金属层的边界部分与金属层形成边缘接触。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 金属 接合 结构 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯‑金属接合结构，包括：石墨烯层；在所述石墨烯层上的金属层；以及在所述石墨烯层和所述金属层之间的中间材料层，所述中间材料层从所述中间材料层中包含的材料的接触所述金属层的边界部分与所述金属层形成边缘接触，其中所述中间材料层包括碳基材料，其中所述中间材料层包括具有多个孔的多孔材料、包括多个晶粒的晶体材料以及图案化的石墨烯中的至少一种，其中所述多孔材料是被选择性还原的石墨烯氧化物或者多个碳纳米管（CNT），所述晶体材料是包括纳米级晶粒的纳米晶体石墨烯。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510042066.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：用于半导体器件封装件的可连接封装延伸件
