[发明专利]一种柔性铁电存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种柔性铁电存储器及其制备方法，所述柔性铁电存储器包括：在柔性衬底层上设置单晶硅纳米薄膜沟道层，在单晶硅纳米薄膜沟道层上设置源电极与漏电极、在源电极与漏电极上设置的阻挡层、在阻挡层上设置的铁电聚合物层，在铁电聚合物层上设置门电极，本发明还提供一种制备柔性铁电存储器的方法，本发明提供的一种柔性铁电存储器及其制备方法，上述结构的柔性铁电存储器能在150℃之下制备，制备好的柔性铁电存储器在偏置电压下表现出良好的开关状态，开关电压约4±V，开关比约200倍，符合存储器要求，在经过多次弯曲后，仍可保持良好的存储性能，具有高可靠性。

主权项

一种柔性铁电存储器，其特征在于，所述柔性铁电存储器包括柔性衬底层、柔性衬底层上的柔性沟道层、柔性沟道层上的源电极与漏电极、源电极与漏电极上的阻挡层、阻挡层上的铁电聚合物层及铁电聚合物层上的门电极，所述柔性沟道层为单晶硅纳米薄膜。