[发明专利]存储器元件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种存储器元件及其制作方法，该存储器元件包括多个含硅导电层是相互平行地垂直叠层于基板上。多条串行选择线位于含硅导电层上方，并沿第一方向延伸。多条串行垂直于含硅导电层和串行选择线，且电性连接至串行选择线。多条位线位于串行选择在线，并沿第二方向延伸。多组多层插塞结构沿第一方向排列设置，将多个串行分别夹设于相邻二个多层插塞结构之间。其中，每一多层插塞结构包含多个介层插塞，每一介层插塞与一含硅导电层对应导通。多条金属字线。其中，每一金属字线沿第一方向延伸，且与导通同一含硅导电层的介层插塞电性连接。

主权项

1.一种存储器元件，包括：多个含硅导电层，相互平行地垂直叠层于一基板上；多条串行选择线，位于这些含硅导电层上方，并沿一第一方向延伸；多条串行垂直于这些含硅导电层和这些串行选择线，且电性连接至这些串行选择线；多条位线，位于这些串行选择线上方，并沿一第二方向延伸，分别与这些串行电性连接；多组多层插塞结构，沿该第一方向排列设置，将这些条串行分别夹设于这些多层插塞结构的相邻二者间；其中，每一这些多层插塞结构包含多个介层插塞，每一这些介层插塞与这些含硅导电层之一者对应导通；以及多条金属字线，沿该第一方向延伸；其中，每一这些金属字线与导通这些含硅导电层之同一者的这些介层插塞电性连接，其中这些多层插塞结构与每一这些串行选择线重叠，而将每一这些串行选择线区隔成多个区域；其中每一这些区域，是通过一接触插塞与一串接金属线电性连接，且这些串接金属线是穿插排列于这些金属字线之间。