[发明专利]马铃薯半高垄覆膜自破膜出苗栽培方法

摘要

本发明公开了一种马铃薯半高垄覆膜自破膜出苗栽培方法，播种方式为半高垄作膜下滴灌采用大小垄双行种植模式，在垄台上播种，小行距为30～35cm，大行距为55～60cm，株距为32～38cm，播种密度为52500～60000株/hm²，滴灌管铺设在小行距中间，播种时间在5月上旬，当土壤10cm深处地温达到8～10℃时即可播种，播种深度为6～12cm。起垄整形的垄高为10cm的半高垄，垄台宽度为50～65cm，垄距100～130cm。膜上覆土厚度为5～7cm，覆土时间为播后当天或集中在5～7d内完成。由于本发明采用播种后在地膜上全覆土的方法，有效改善了土壤的肥水条件，起到避免春季风大吹破地膜，达到抑制畦面长草的效果。本栽培方法有提高地温，缩短出苗及收获时间，且马铃薯自行破膜出土的优点。

主权项

马铃薯半高垄覆膜自破膜出苗栽培方法，步骤依次为：选地及整地；施基肥；种薯切种及种薯处理；起垄整形；播种：铺设滴灌管道；覆膜；膜上全覆土；田间管理；滴灌及病虫害防治，其特征在于：所述播种的方式为半高垄作膜下滴灌采用大小垄双行种植模式，在垄台上播种，小行距为30～35cm，大行距为55～60cm，株距为32～38cm，播种密度为52500～60000株/hm²，滴灌管铺设在小行距中间，播种时间在5月上旬，当土壤10cm深处地温达到8～10℃时即可播种，播种深度为6～12cm，粘重而潮湿土壤应浅播，深度为6～8cm，沙壤土要深播，最深不能超过12cm。