[发明专利]氧化物烧结体、溅射靶和薄膜以及氧化物烧结体的制造方法有效
| 申请号： | 201510043312.5 | 申请日： | 2015-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105986230B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 奈良淳史 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及氧化物烧结体、溅射靶和薄膜以及氧化物烧结体的制造方法。一种氧化物烧结体，其特征在于，包含锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、锗(Ge)和氧(O)，Zn含量以ZnO换算为70～90摩尔％，In含量以In2O3换算为2～15摩尔％，Ti含量以TiO2换算为1～10摩尔％，Ga含量以Ga2O3换算为0.5～10摩尔％，Ge含量以GeO2换算为0.5～10摩尔％。根据本发明，体电阻率低且能够进行DC溅射，并且可以形成具备所需的折射率和透射率的透明导电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 溅射 薄膜 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物烧结体，其特征在于，包含锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、锗(Ge)和氧(O)，Zn含量以ZnO换算为70～90摩尔％，In含量以In2O3换算为2～15摩尔％，Ti含量以TiO2换算为1～10摩尔％，Ga含量以Ga2O3换算为0.5～10摩尔％，Ge含量以GeO2换算为0.5～10摩尔％。
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