[发明专利]利用薄氧化物场效应晶体管的数字输出驱动器和输入缓冲器有效
| 申请号： | 201510043505.0 | 申请日： | 2007-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN104753503B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | V·斯里尼瓦斯;V·莫汉 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/356 | 分类号： | H03K3/356 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种数字输出驱动器，包括可以用薄氧化物FET实现的前置驱动器(310)和驱动器(360)。前置驱动器(310)基于数字输入信号来生成第一数字信号(14)和第二数字信号(16)。第一数字信号具有由第一(例如焊盘)电源电压(VPAD)和中间电压(VINT)确定的第一电压范围。第二数字信号具有由第二(例如内核)电源电压(VCORE)和电路的地(VSCS)确定的第二电压范围。驱动器接收第一和第二数字信号并提供数字输出信号(VOUT)，该数字输出信号具有由第一电源电压和电路的地确定的第三电压范围。前置驱动器可以包括锁存器(320)和锁存器驱动器(330)。锁存器存储数字输入信号的当前逻辑值。锁存器驱动器向锁存器写入逻辑值。使能锁存器驱动器达一个短的持续时间，以写入逻辑值，随后将其关闭。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动器 锁存器 数字信号 前置驱动器 电源电压 数字输出信号 数字输出 电路 写入 场效应晶体管 数字输入信号 薄氧化物FET 输入缓冲器 薄氧化物 存储数字 中间电压 焊盘 内核 使能 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：锁存器，其被配置成提供具有第一电压范围的第一数字信号，所述第一电压范围由第一电源电压和中间电源电压确定，其中所述锁存器包括第一和第二节点；耦合到所述锁存器的锁存器驱动器，所述锁存器驱动器被配置成将所述第一或第二节点下拉达预定的持续时间以向所述锁存器写入逻辑值，并在所述预定的持续时间之后截止，其中所述逻辑值基于数字输入信号；以及耦合到所述锁存器的驱动器，其被配置成接收所述第一数字信号和第二数字信号并提供数字输出信号，其中所述第二数字信号具有由第二电源电压和电路的地确定的第二电压范围，其中所述数字输出信号具有由所述第一电源电压和电路的地确定的第三电压范围，其中所述第一电源电压高于所述第二电源电压。
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