[发明专利]芯片通孔连接缺陷的检测方法

摘要

本申请提供了一种芯片通孔连接缺陷的检测方法。该芯片包括衬底、有源结构、通孔和金属互连结构，该衬底设置有相互分离的隔离槽；有源结构设置在隔离槽之间的衬底中和衬底上；通孔设置在有源结构上；金属互连结构具有依次远离衬底的第一金属层和互连金属层，第一金属层通过通孔与有源结构连接，互连金属层通过互连介质层与第一金属层连接，芯片通孔连接缺陷的检测方法包括：步骤S1，减薄衬底使隔离槽裸露；步骤S2，将第一金属层电性电性接地；以及步骤S3采用PVC技术对通孔连接进行检测。该检测方法无需对第一金属层减薄就可以全面地检测出有源结构与通孔的连接缺陷，使得后续的第一金属层与通孔的连接缺陷的定位检测可以顺利进行。

主权项

1.一种芯片通孔连接缺陷的检测方法，所述芯片包括：衬底，设置有相互分离的隔离槽；有源结构，设置在所述隔离槽之间的所述衬底中和所述衬底上；通孔，设置在所述有源结构上；金属互连结构，具有依次远离所述衬底的第一金属层和互连金属层，所述第一金属层通过所述通孔与所述有源结构连接，其特征在于，所述检测方法包括：步骤S1，减薄所述衬底使所述隔离槽裸露；步骤S2，将所述第一金属层电性接地；以及步骤S3，采用PVC技术对所述通孔是否存在连接缺陷进行检测。